128GB de memória Flash num único chip da Samsung

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Revolucionando mais uma vez o mercado de chips de memória Flash, a Samsung acaba de disponibilizar um chip de memória com 128 GBytes de armazenamento, espaço que até poucos anos atrás necessitava pelo menos 16 chips para compor um SSD de mesmo espaço de armazenamento.

Chip da Samsung com 128GBytes de memória Flash

Chip da Samsung com 128GBytes de memória Flash

Mas não é apenas no espaço de armazenamento que a Samsung está revlucionando o mercado com este chip, ela está propondo uma interface de comunicação diferente para estes chips a fim de aumentar a velocidade transação dos dados. Ate então o padrão eMMC com barramento de 8 bits bi-direcional era a interface padronizada para estes chips, agora a Samsung aposta no padrão UFS que utiliza um barramento diferencial para escrita e um barramento diferencial para leitura.

Comparação entre as interfaces eMMC e UFS

Comparação entre as interfaces eMMC e UFS

Com a nova interface a Samsung estima aumentar a velocidade de transação de dados nos SSDs e equipamentos móveis em até 2,7 vezes. O chip ainda trará uma redução em torno de 50% no consumo de energia nos SSDs.

Tabela comparativa entre o padrão UFS 2.0, utilizado pela Samsung, e os demais existentes

Tabela comparativa entre o padrão UFS 2.0, utilizado pela Samsung, e os demais existentes

A Samsung disponibiliza este chip sob demanda do cliente, que ainda pode adquiri-lo num encapsulamento ePoP que pode agregar memória RAM e um processador para reduzir bastante o espaço utilizado em placas de circuito impresso.

Via: Samsung Tomorrow

Samsung ePoP = Processador + 3GB LPDDR3 DRAM + 32GB eMMC

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A Samsung está dando uma ajudinha boa ao mundo dos pequenos dispositivos (smartphones, tablets, etc) para que estes consigam ficar menores ainda. Ela acaba de lançar um componente misto num formato embedded package on package, algo como “encapsulamento embarcado no encapsulamento” que agrega um Processador (Application Processor), uma memória do tipo volátil (LPDDR3 DRAM) de 3 gigabytes e uma memória do tipo não-volátil (flash eMMC) de 32 gigabytes.

Encapsulamento ePoP

Encapsulamento ePoP

Segundo a Samsung, com esse novo encapsulamento os dispositivos podem ter suas placas de circuito impresso reduzidas em até 40%. Essa redução pode acelerar o desenvolvimento de novos dispositivos “vestíveis” que careçam de alto desempenho. A memória volátil DRAM opera a 1,866 Mb/s num barramento de 64 bits.

Comparativo entre a nova solução ePoP e a solução em uso

Comparativo entre a nova solução ePoP e a solução em uso

Esse circuito tudo-em-um já encontra-se em produção e está disponível para clientes sob demanda.

Via: Samsung Tomorrow